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STB60NH02LT4

更新時間:2025-05-16 08:29:56

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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奧利騰只做原裝正品，實單價優(yōu)可談

深圳市金科創(chuàng)世紀電子有限公司
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D2PAK/-
原裝現(xiàn)貨，可開票，提供賬期誠信服務

深圳市華美銳電子有限公司
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TO263/21+
-

深圳市捷美創(chuàng)芯電子科技有限公
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深圳市富萊微科技有限公司
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只做原裝，現(xiàn)貨庫存

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深圳市億科泰電子科技有限公司
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保證質(zhì)量質(zhì)優(yōu)價好給你

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深圳市安富世紀電子有限公司
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終端可以免費供樣，支持BOM配單

深圳市華斯頓科技有限公司
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深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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深圳市弘為電子有限公司
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深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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深圳市華盛錦科技有限公司
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NK/南科功率
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南科國產(chǎn)替代

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STB60NH02LT4外觀圖

STB60NH02LT4

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

STB60NH02LT4 概述

STB60NH02LT4是意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻特性，在柵源電壓為10V時典型值僅為0.025歐姆，有助于減少導通損耗。其最大漏極電流可達60A，適用于需要高效率開關(guān)的電路中。常見應用場景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動、負載切換以及電源管理等。在電機驅(qū)動應用中，可利用其快速開關(guān)特性實現(xiàn)高效能控制。進行電路設計時應注意散熱處理，確保工作溫度不超過最大額定值。由于其低柵極電荷特性，能夠與多種PWM控制器良好匹配，簡化驅(qū)動電路設計。使用時需注意防止靜電損壞，并遵循制造商推薦的焊接工藝以確保可靠性。

STB60NH02LT4 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
24V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
60A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
10.5 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
32nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1400pF @ 15V
功率 - 最大
70W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
帶卷 (TR)

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STB60NE06L-16T4
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