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SPB02N60S5

更新時間:2025-05-20 22:40:28

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深圳市河鋒鑫科技有限公司
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SPB02N60S5 概述

SPB02N60S5是由英飛凌科技公司生產(chǎn)的高性能N溝道MOSFET。該器件采用先進的TrenchFET技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高頻應(yīng)用場合。其最大漏源電壓為600V，連續(xù)漏極電流可達(dá)2A，在電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器及逆變器電路中表現(xiàn)出色。此MOSFET常用于工業(yè)控制、電動工具、不間斷電源系統(tǒng)等需要高效能功率轉(zhuǎn)換的領(lǐng)域。在實際應(yīng)用中，建議根據(jù)具體工作環(huán)境選擇適當(dāng)?shù)纳岽胧┮源_保穩(wěn)定運行。設(shè)計電路時需注意柵極驅(qū)動電壓應(yīng)保持在規(guī)定范圍內(nèi)，防止因過壓導(dǎo)致柵氧化層擊穿損壞器件。此外，合理布局PCB走線減少寄生電感影響，有助于提升整體電路性能。

SPB02N60S5 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
SPB02N60S5
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊
CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
CoolMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3 歐姆 @ 1.1A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5.5V @ 80µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
9.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
240pF @ 25V
功率 - 最大
25W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝
PG-TO263-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
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STM32F105VCT6

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