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NTP30N20G

更新時間:2025-06-27 23:50:25

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NTP30N20G外觀圖

NTP30N20G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB

封裝:TO-220-3

NTP30N20G 概述

NTP30N20G是由Nexperia公司生產(chǎn)的一款N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用TOLL封裝，具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點，適用于多種電源管理應(yīng)用。這款MOSFET的最大漏源電壓（Vds）為200V，最大連續(xù)漏極電流（Id）可達30A，在高效DC-DC轉(zhuǎn)換器、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）、電機驅(qū)動控制以及各種工業(yè)電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)出色。其低柵極電荷（Qg）特性有助于提高開關(guān)速度，降低開關(guān)損耗，特別適合高頻開關(guān)電源設(shè)計。在實際應(yīng)用中，使用時應(yīng)注意適當(dāng)?shù)纳嵩O(shè)計以確保器件穩(wěn)定工作。推薦在PCB布局上留出足夠的銅面積用于散熱，并考慮并聯(lián)多個MOSFET以分散熱負荷。對于需要更高可靠性的場合，建議添加溫度傳感器監(jiān)測工作溫度，防止過熱損壞。

NTP30N20G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
30A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
81 毫歐 @ 15A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
100nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2335pF @ 25V
功率 - 最大
214W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
NTP30N20GOS

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