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NTMFS4946NT1G

更新時間:2025-06-12 16:42:41

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產品型號
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廠商
封裝/批號
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詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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NTMFS4946NT1G外觀圖

NTMFS4946NT1G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V SO-8FL

封裝:8-TDFN 裸露焊盤（5 引線）

NTMFS4946NT1G 概述

NTMFS4946NT1G是由安森美半導體生產的一款N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用緊湊的SOT-23封裝，適用于需要高效開關性能的應用場合。其低導通電阻和快速開關特性使其成為電池供電設備、負載開關和DC-DC轉換器的理想選擇。在便攜式電子設備中，如智能手機和平板電腦，它常被用于電源管理電路以提高能效并減小熱損耗。設計時應注意正確選擇柵極驅動電壓，確保MOSFET處于最佳工作狀態(tài)。典型應用電路包括低壓差線性穩(wěn)壓器中的串聯調整管以及同步整流電路中的開關元件。使用時應關注最大漏源電壓和連續(xù)漏極電流限制，防止超出額定值導致損壞。

NTMFS4946NT1G 規(guī)格參數

標準包裝
1,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
12.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3.4 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
53nC @ 11.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
3250pF @ 12V
功率 - 最大
890mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-TDFN 裸露焊盤（5 引線）
供應商設備封裝
6-DFN，8-SO 扁平引線（5x6）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTMFS4946NT1G-NDNTMFS4946NT1GOSTR

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NTMFS4108NT1G
NUP2105LT1G

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