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NTMFS4937NT1G

更新時間:2025-05-23 00:56:36

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
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詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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只做原廠原裝假一罰十可含稅

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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公
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深圳華盛半導體集團有限公司
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深圳市安富世紀電子有限公司
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深圳市威爾健半導體有限公司
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NTMFS4937NT1G外觀圖

NTMFS4937NT1G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8 FL

封裝:8-TDFN 裸露焊盤（5 引線）

NTMFS4937NT1G 概述

NTMFS4937NT1G是安森美半導體生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用SOT-23封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于多種電源管理應(yīng)用。其典型應(yīng)用場景包括負載開關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電池充電電路等便攜式電子設(shè)備中。在這些應(yīng)用中，NTMFS4937NT1G能夠高效地控制電流流動并降低功耗，有助于延長電池壽命和提高系統(tǒng)效率。使用時應(yīng)注意遵循推薦的驅(qū)動電壓范圍以確?？煽块_啟與關(guān)閉MOSFET。設(shè)計PCB布局時要盡量減小源極到漏極之間的走線電感，避免高頻工作時產(chǎn)生振蕩。此外，在高溫環(huán)境下工作時需考慮溫度對導通電阻的影響，并留有足夠的散熱余量。

NTMFS4937NT1G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
10.2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
31nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2516pF @ 15V
功率 - 最大
920mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-TDFN 裸露焊盤（5 引線）
供應(yīng)商設(shè)備封裝
6-DFN，8-SO 扁平引線（5x6）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTMFS4937NT1G-NDNTMFS4937NT1GOSTR

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NTMFD4C85NT1G
NTMFS4108NT1G
NJW0302G

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