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NTMFS4833NT1G

更新時間:2025-06-24 09:10:59

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NTMFS4833NT1G外觀圖

NTMFS4833NT1G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL

封裝:8-TDFN 裸露焊盤（5 引線）

NTMFS4833NT1G 概述

NTMFS4833NT1G是安森美半導體生產的一款N溝道增強型MOSFET。它采用超小型的SOT-23封裝，具有低導通電阻和高效率的特點，適用于電池供電設備中的負載開關、電源管理以及DC - DC轉換器等應用。其柵極 - 源極電壓為±20V，漏極 - 源極電壓為30V，在VGS = 4.5V時，最大導通電阻僅為35mΩ（典型值），這有助于減少導通損耗并提高系統(tǒng)整體性能。在使用時需要注意散熱設計，避免因過熱導致器件損壞，并且在電路布局上要盡量減小寄生電感對開關性能的影響。

NTMFS4833NT1G 規(guī)格參數

標準包裝
1,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
16A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
88nC @ 11.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
5600pF @ 12V
功率 - 最大
910mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-TDFN 裸露焊盤（5 引線）
供應商設備封裝
6-DFN，8-SO 扁平引線（5x6）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTMFS4833NT1G-NDNTMFS4833NT1GOSTR

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