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MTP50P03HDLG

更新時間:2025-05-18 07:23:52

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
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封裝/批號
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深圳市誠研翔科技有限公司
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只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務(wù)

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MTP50P03HDLG外觀圖

MTP50P03HDLG

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB

封裝:TO-220-3

MTP50P03HDLG 概述

MTP50P03HDLG是由Microchip Technology生產(chǎn)的功率MOSFET。該器件為P溝道設(shè)計，具有低導(dǎo)通電阻和高電流能力的特點(diǎn)，適用于多種電源管理應(yīng)用。其最大漏極-源極電壓（VDS）為-30V，連續(xù)漏極電流（ID）在室溫下可達(dá)-5.8A。典型應(yīng)用場景包括負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)電路以及便攜式設(shè)備中的電源控制。在實(shí)際應(yīng)用中，使用MTP50P03HDLG時應(yīng)注意柵極驅(qū)動電壓的選擇，確保能夠充分開啟或關(guān)閉MOSFET。對于負(fù)載開關(guān)應(yīng)用，建議在柵極串聯(lián)一個小電阻以限制瞬態(tài)電流，防止振蕩。同時，在布局PCB時，盡量縮短源極和漏極之間的走線長度，減少寄生電感對電路性能的影響。此外，由于是P溝道MOSFET，其柵極相對于源極為負(fù)電壓才能導(dǎo)通，設(shè)計驅(qū)動電路時需特別注意這一特性。

MTP50P03HDLG 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
50A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
25 毫歐 @ 25A，5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
100nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4900pF @ 25V
功率 - 最大
125W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
MTP50P03HDLGOS

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