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MTP2955V

更新時間:2025-05-21 19:25:13

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詢價

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MTP2955V外觀圖

MTP2955V

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 60V 12A TO-220AB

封裝:TO-220-3

MTP2955V 概述

MTP2955V是Microsemi公司生產(chǎn)的一款P溝道功率MOSFET。它采用TO-220封裝，具有低導通電阻特性，在柵極電壓為-10V時，最大導通電阻僅為0.03歐姆。該器件設計用于高效直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)以及電池管理電路等應用場合。其高電流承載能力（連續(xù)漏極電流額定值可達-30A）使其非常適合需要處理大功率的場景。在實際應用中，由于它是P溝道MOSFET，所以在驅(qū)動電路設計上要注意合適的負壓驅(qū)動以確?？煽块_啟和關(guān)閉。例如在電池反向保護電路中，可以利用它的低導通電阻來減少能量損耗，同時通過合理的柵極電阻選擇保證開關(guān)速度與EMI性能之間的平衡。

MTP2955V 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
12A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
230 毫歐 @ 6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
30nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
770pF @ 25V
功率 - 最大
60W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
MTP2955VOS

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MTP20N15E
MX25L6406EM2I-12G

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