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MMBF4391

更新時間:2025-05-15 20:25:55

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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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MMBF4391外觀圖

MMBF4391

Fairchild Semiconductor JFET（結點場效應

JFET SWITCH N-CHAN SOT-23

封裝:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

MMBF4391 概述

MMBF4391是安森美半導體生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。它采用SOT-23封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。這款MOSFET專為高頻應用優(yōu)化，在無線通信設備中作為射頻信號放大或開關控制元件非常合適。在智能手機、平板電腦等便攜式電子設備中可用于射頻功率放大、天線調(diào)諧等電路。在實際應用中，由于其柵極電荷較低，能夠?qū)崿F(xiàn)快速的開關轉(zhuǎn)換，有利于提高電路效率。使用時需注意其最大漏源電壓為20V，確保電路工作條件在其額定范圍內(nèi)。例如在射頻功率放大電路中，可以與其他匹配元件配合使用，通過合理的PCB布局減少寄生參數(shù)影響，以獲得更好的性能表現(xiàn)。

MMBF4391 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
JFET（結點場效應
系列
-
電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0)
50mA @ 20V
漏極至源極電壓(Vdss)
-
漏極電流 (Id) - 最大
-
FET 型
N 溝道
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS)
30V
電壓 - 切斷 (VGS 關）@ Id
4V @ 1nA
輸入電容 (Ciss) @ Vds
14pF @ 20V
電阻 - RDS（開）
30 歐姆
安裝類型
表面貼裝
包裝
帶卷 (TR)
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝
SOT-23-3（TO-236）
功率 - 最大
350mW
其它名稱
MMBF4391-NDMMBF4391TR

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