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MJD350T4

更新時間:2025-07-03 13:31:12

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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
MJD350T4
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深圳市安富世紀電子有限公司
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深圳市芯齊壹科技有限公司
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ST/意法半導體
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5000
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深圳市富萊微科技有限公司
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ON Semiconductor
TO2523 DPak SC63/22+
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云漢時代半導體(深圳）有限公
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深圳市星宇佳科技有限公司
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5320
ST/意法
TO2523/19+
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務

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MJD350T4外觀圖

MJD350T4

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANS PWR PNP 0.5A 300V DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

MJD350T4 概述

MJD350T4是安森美半導體(ON Semiconductor)生產的一款高壓大電流達林頓晶體管，采用TO-220封裝。該晶體管由兩個NPN晶體管復合組成達林頓結構，具有高電流增益特性。其集電極-發(fā)射極最大電壓（Vce）可達100V，集電極連續(xù)電流（Ic）最高為8A，在脈沖條件下甚至可達50A。此款晶體管廣泛應用于電機驅動、繼電器驅動、電磁閥控制等需要較高驅動能力的工業(yè)控制領域。在音頻放大器中也能見到它的身影，用于功率放大級以提供足夠的輸出功率。使用時應注意散熱設計，確保工作在安全溫度范圍內，避免因過熱導致性能下降或損壞。由于其較大的電流能力，在電路設計中要合理選擇配套元件，并做好過流保護措施。

MJD350T4 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
10
類別
分離式半導體產品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
500mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
300V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
-
電流 - 集電極截止（最大）
100µA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
30 @ 50mA，10V
功率 - 最大
1.56W
頻率 - 轉換
-
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
DPAK-3
包裝
Digi-Reel®
其它名稱
MJD350T4OSDKR

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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