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MGSF1N02LT1

更新時間:2025-07-04 05:24:20

供應商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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MGSF1N02LT1外觀圖

MGSF1N02LT1

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23

封裝:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

MGSF1N02LT1 概述

MGSF1N02LT1是由安森美半導體生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。它采用SOT-23封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性。該MOSFET專為低壓應用而設(shè)計，在電路中通常作為開關(guān)元件使用。在便攜式設(shè)備如智能手機和平板電腦中，MGSF1N02LT1可用于電源管理電路，實現(xiàn)高效能的電壓調(diào)節(jié)和負載切換。此外，它也適用于電池充電控制電路，確保充電過程的安全性和效率。在實際應用中，設(shè)計者應注意其最大漏源電壓為20V，連續(xù)漏極電流能力需依據(jù)具體散熱條件確定。當用于高速開關(guān)應用時，合理布局PCB走線以減少寄生電感影響是非常重要的。

MGSF1N02LT1 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
750mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
90 毫歐 @ 1.2A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
-
輸入電容 (Ciss) @ Vds
125pF @ 5V
功率 - 最大
400mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設(shè)備封裝
SOT-23-3（TO-236）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
MGSF1N02LT1OSTR

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