深圳市宏捷佳電子科技有限公司
HC5050SARGBW4C-W601 BHUFGDRHYNK
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| 型號 | 供應商 | 庫存 | 品牌 | 單次最多申領數(shù)量（片） | 封裝工藝 | 元件分類 | 申領 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTD4909NT4G |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO252-2 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| PDS4909 |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOP8 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| Si4909DY-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOP-8 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| 2SC4909-TL |
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深圳市海虹微電子有限公司 | 1000 | SANYO | 10 | 323 | 集成電路(IC) | 掃碼申領 |
| NTD4909NT4G |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| SI4909DY |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOP-8 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| RF1K49093 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | SOP-8 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| NTD4909NT4G |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | TO252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| SI4909DY |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | SO-8 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| RF1K49093 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | SOP8 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
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