| 型號 | 供應商 | 庫存 | 品牌 | 單次最多申領(lǐng)數(shù)量（片） | 封裝工藝 | 元件分類 | 申領(lǐng) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 20P06 |
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深圳市星宇佳科技有限公司 | 200 | XY | 10 | TO-252 | 場效應管MOSFET-結(jié)型場效應管 | 掃碼申領(lǐng) |
| 20P06 |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| 20P06 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| 20P06 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTD20P06LT4G |
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司 | 85000 | YS/優(yōu)尚 | 20 | DPAK | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| JEB120P0603 |
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廣東星河微電子有限公司 | 9000 | Cnnpchip/新晶微 | 5 | C0603 | 二極管 | 掃碼申領(lǐng) |
| HYG120P06LR1D |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO-252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTDV20P06LT4G-VF01 |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO-252-2 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTDV20P06LT4G |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO-252-2 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTD20P06LT4G |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO-252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTD20P06LG |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO-252-2 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTD20P06L-001 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-251 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| MTD20P06HDLT4G |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| CED20P06 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-251 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| AM20P06-135 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTD20P06LT |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTD20P06LG |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| ME20P06 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| CEP20P06 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TO-220-3 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| CEP20P06 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | TO220 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| CED20P06 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | TO251 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| MTD20P06HDLT4G |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | TO252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTD20P06L-001 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | TO251 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTD20P06LT |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| NTD20P06LG |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| ME20P06 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | TO252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
| AM20P06-135 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | TO-252 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
深圳市宏捷佳電子科技有限公司
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