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IXTY01N100

更新時間:2025-05-22 20:51:12

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說明
詢價

深圳市創(chuàng)芯聯盈電子有限公司
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只做原裝,專注海外現貨訂購20年

深圳市得捷芯城科技有限公司
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7764
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深圳市凌涵科技有限公司
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現代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳市萬佳電子貿易有限公司
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一手渠道假一罰十原包裝常備現貨林R Q2280193667

深圳市匯創(chuàng)佳電子科技有限公司
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原廠渠道，現貨配單

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深圳硅原半導體有限公司
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深圳市正納電子有限公司
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藍界科技（深圳）有限公司
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原裝現貨，可開票，提供賬期誠信服務

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8000
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20+

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IXTY01N100外觀圖

IXTY01N100

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 1000V 100MA DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

IXTY01N100 概述

IXTY01N100是IXYS公司生產的一款高壓功率MOSFET。這款器件設計用于需要高電壓處理能力的開關電源、電機驅動和其他工業(yè)應用。它具備極低的導通電阻和快速的開關特性，有助于提高系統效率并減少功耗。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、直流-直流轉換器以及電動工具等便攜式設備中的電源管理電路。在實際使用中，建議根據具體的應用需求選擇適當的柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度，并確保柵極電壓穩(wěn)定且足夠高以實現最低的導通電阻。設計時需注意散熱管理，因為較高的功率密度可能導致顯著的熱生成，影響器件性能和壽命。適當選擇散熱器或利用PCB銅箔進行散熱可有效提升系統可靠性。

IXTY01N100 規(guī)格參數

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
100mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
80 歐姆 @ 100mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 25µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
6.9nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
54pF @ 25V
功率 - 最大
25W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
TO-252AA
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IXTY01N100-NDIXTY01N100TRQ3218405

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