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IXTQ82N25P

更新時間:2025-07-05 21:37:22

供應商
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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IXTQ82N25P外觀圖

IXTQ82N25P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 250V 82A TO-3P

封裝:TO-3P-3，SC-65-3

IXTQ82N25P 概述

IXTQ82N25P是IXYS公司生產的一款高性能N溝道MOSFET。該器件采用TO-264封裝，具備低導通電阻和高電流處理能力，最大漏極電流可達82A，耐壓值為250V，適用于高壓高頻應用場合。此MOSFET常用于開關電源、電機驅動、逆變器等需要高效能開關特性的電路中。在電機驅動應用中，其快速的開關速度和低導通損耗有助于提高整體效率并減少發(fā)熱。建議在實際使用時關注柵極驅動電壓的選擇，確保驅動電壓足夠以實現(xiàn)最低的導通電阻。設計電路時需注意散熱設計，推薦使用適當?shù)纳崞饕员ＷC器件長期穩(wěn)定工作。對于高可靠性需求的應用場景，應進行充分的測試驗證。

IXTQ82N25P 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PolarHT™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
250V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
82A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
35 毫歐 @ 41A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
142nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4800pF @ 25V
功率 - 最大
500W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
供應商設備封裝
TO-3P
包裝
管件

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IXTQ100N25P
IXTQ10P50P
IXTQ110N055P
IXTQ120N20P
IXTQ130N10T
IR2110

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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