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IXTP50N20P

更新時間:2025-05-17 19:00:38

供應商
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數(shù)量
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說明
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深圳市華普冠科電子科技有限公
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IXTP50N20P外觀圖

IXTP50N20P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 200V 50A TO-220

封裝:TO-220-3

IXTP50N20P 概述

IXTP50N20P是IXYS公司生產的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-247封裝，具有低導通電阻和高電流處理能力的特點。其最大漏源電壓（Vds）為200V，連續(xù)漏極電流（Id）可達50A，適用于高效能電源轉換系統(tǒng)。典型應用場景包括開關電源、電機驅動、不間斷電源(UPS)以及各類需要高效率和高可靠性的電力電子設備中。在電路設計時，需注意柵極驅動電壓的選擇以確保MOSFET完全導通，同時應合理布局PCB以減少寄生電感影響，提高整體電路性能。

IXTP50N20P 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PolarHT™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
50A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
60 毫歐 @ 50A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
70nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2720pF @ 25V
功率 - 最大
360W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件

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IRF9540

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