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IXTP182N055T

更新時間:2025-07-03 16:02:34

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IXTP182N055T外觀圖

IXTP182N055T

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 55V 182A TO-220

封裝:TO-220-3

IXTP182N055T 概述

IXTP182N055T是IXYS公司生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導通電阻和高電流處理能力，典型導通電阻僅為0.018歐姆，最大漏極電流可達180A。其擊穿電壓為55V，適用于需要高效電源管理和控制的應用場景。常見應用包括不間斷電源（UPS）、直流電機驅動、電池管理系統(tǒng)以及各種開關電源轉換器中。由于其出色的電氣特性，在要求高效率和可靠性的電力電子系統(tǒng)中表現(xiàn)出色。在實際使用時，建議根據(jù)具體電路需求合理選擇柵極驅動電阻，并確保散熱設計良好以維持器件長期穩(wěn)定工作。注意在高頻應用中需關注寄生電感對開關性能的影響。

IXTP182N055T 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
TrenchMV™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
182A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
5 毫歐 @ 25A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
114nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4850pF @ 25V
功率 - 最大
360W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件

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