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IXTH5N100

更新時間:2025-05-28 19:41:21

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海芯未來半導體電子（深圳）有
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IXTH5N100 概述

IXTH5N100是由IXYS公司生產的一款高壓功率MOSFET。該器件采用TO-247封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。其額定電壓為1000V，最大連續(xù)漏極電流可達5A，適用于高電壓、大功率應用場合。典型應用場景包括工業(yè)電源、不間斷電源（UPS）、電機驅動和高壓直流電路等。在實際應用中，需注意柵極驅動電路的設計以確保MOSFET能夠可靠開通與關斷。推薦使用合適的柵極電阻來控制開關速度，并加入適當?shù)木彌_電路減少電壓尖峰。對于需要并聯(lián)多個MOSFET的應用，應考慮均流措施以避免個別器件過載。在進行PCB布局時，盡量縮短源極引線長度，減小寄生電感對開關性能的影響。

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廣東微爾科技有限公司

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IXTH02N250
IXTH03N400
IXTH102N20T
IXTH10N100D2
IXTH10N60
IXTH10N80A
IR2103

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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