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IXTH22N50P

更新時間:2025-06-15 02:25:06

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IXTH22N50P外觀圖

IXTH22N50P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 500V 22A TO-247

封裝:TO-247-3

IXTH22N50P 概述

IXTH22N50P是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能N溝道功率MOSFET，專為高壓應用設計。該器件采用TO-247封裝，具有低導通電阻和高開關(guān)速度的特點，適用于各種高效電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。其最大漏源電壓（Vds）可達500V，連續(xù)漏極電流（Id）在25℃時為22A。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、電機驅(qū)動以及高頻開關(guān)電源等電力電子設備。在實際應用中，建議在電路設計時充分考慮散熱管理，以確保器件在高負載條件下穩(wěn)定運行。對于需要快速開關(guān)的應用場合，適當選擇柵極電阻值以優(yōu)化開關(guān)性能。此外，在進行PCB布局時，應盡量縮短源極與柵極引線長度，減少寄生電感對開關(guān)特性的影響。

IXTH22N50P 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PolarHV™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
22A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
270 毫歐 @ 11A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
50nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2630pF @ 25V
功率 - 最大
350W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247
包裝
管件

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IXTH10P50
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