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IXGA20N100

更新時間:2025-06-16 11:27:30

供應商
產品型號
服務標識
數量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
IXGA20N100
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深圳市安富世紀電子有限公司
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深圳市威雅利發(fā)展有限公司
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海芯未來半導體電子（深圳）有
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7300
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深圳市萬佳電子貿易有限公司
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原裝現(xiàn)貨

深圳市科翼源電子有限公司
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中科航電（深圳）電子集團有限
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深圳市誠研翔科技有限公司
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IXGA20N100外觀圖

IXGA20N100

IXYS IGBT - 單路

IGBT 1000V 40A TO-263

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

IXGA20N100 概述

IXGA20N100是IXYS公司生產的一款高性能功率MOSFET。該器件專為高壓應用設計，具有低導通電阻和高開關速度特性，適用于高效能電源管理系統(tǒng)。其最大漏源電壓可達1000V，適合在需要高電壓處理能力的電路中使用。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、直流-直流轉換器、電機驅動及工業(yè)電源系統(tǒng)等。在實際應用中，由于其高電壓特性，建議在布局PCB時特別注意電氣隔離和散熱設計以確保穩(wěn)定性。對于高頻應用，需優(yōu)化柵極驅動電路減少開關損耗。例如，在設計一個基于此MOSFET的半橋電路時，應選用合適的柵極電阻來控制開關速度，并且考慮加入RC緩沖電路抑制電壓尖峰。

IXGA20N100 規(guī)格參數

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
IGBT - 單路
系列
-
IGBT 類型
PT
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
1000V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
3V @ 15V，20A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
40A
功率 - 最大
150W
輸入類型
標準型
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
TO-263AA
包裝
管件

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