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IXFH15N100Q

更新時間:2025-06-13 01:06:38

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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IXFH15N100Q外觀圖

IXFH15N100Q

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247

封裝:TO-247-3

IXFH15N100Q 概述

IXFH15N100Q是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能MOSFET，適用于高電壓和大功率應用。這款MOSFET具有極低的導通電阻和快速開關特性，能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。其最大漏源電壓（Vds）可達1000V，連續(xù)漏極電流（Id）為15A，適用于工業(yè)電源、逆變器、UPS系統(tǒng)以及電動汽車充電設備等場合。在實際應用中，由于其高電壓承受能力和良好的熱穩(wěn)定性，特別適合用于高壓直流母線的開關控制。設計電路時需注意柵極驅動電路的設計，確保有足夠的驅動電壓以實現(xiàn)最佳性能。推薦使用專用的MOSFET驅動芯片，并根據(jù)具體應用場景優(yōu)化柵極電阻值，避免過沖現(xiàn)象的發(fā)生。同時，在布局PCB時應盡量縮短源極與柵極之間的走線距離，減少寄生電感對開關性能的影響。

IXFH15N100Q 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
15A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
700 毫歐 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 4mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
170nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4500pF @ 25V
功率 - 最大
360W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247
包裝
管件

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IRF9540

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