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IXFH12N100Q

更新時間:2025-05-21 19:52:28

供應商
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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安富微（深圳）商貿有限公司
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回收此型號IXFH12N100Q

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IXFH12N100Q外觀圖

IXFH12N100Q

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD

封裝:TO-247-3

IXFH12N100Q 概述

IXFH12N100Q是IXYS公司生產的一款高性能功率MOSFET。該器件設計用于高電壓和高速開關應用，最大漏源電壓（Vds）可達1000V，連續(xù)漏極電流（Id）為12A。其低柵極電荷（Qg）特性使其非常適合高頻操作，可降低開關損耗并提高整體效率。這款MOSFET常用于工業(yè)電源、電機驅動、不間斷電源（UPS）、焊接設備以及各種需要高效能量轉換的高壓應用中。在電路設計中，建議采用適當?shù)臇艠O電阻以控制開關速度，并確保散熱設計充分以維持器件工作溫度在安全范圍內。對于高壓應用，務必注意PCB布局和元件選擇，以防止電壓擊穿和其他潛在問題。使用時應遵循制造商提供的電氣參數(shù)和推薦電路配置，確保系統(tǒng)穩(wěn)定可靠運行。

IXFH12N100Q 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
12A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.05 歐姆 @ 6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5.5V @ 4mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
90nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2900pF @ 25V
功率 - 最大
300W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247AD
包裝
管件

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IXFH110N10P
IXFH11N90
IRFZ24N

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