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IRLR024Z

更新時間:2025-05-15 20:28:04

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廠商
封裝/批號
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詢價

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IRLR024Z外觀圖

IRLR024Z

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 55V 16A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

IRLR024Z 概述

IRLR024Z是由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該器件采用SOT-223封裝，具有低導通電阻和高效率的特點，適合在緊湊型設計中使用。其最大漏源電壓為60V，適用于廣泛的功率管理應用，如負載開關、電源轉換器以及電機驅(qū)動控制等。由于其較小的封裝尺寸和良好的熱性能，特別適合空間受限的應用環(huán)境。在實際應用中，需注意柵極驅(qū)動電路的設計以確保MOSFET可靠開啟與關閉，并且在布局時盡量減小寄生電感以避免振蕩現(xiàn)象的發(fā)生。建議在高頻開關電源或電池供電設備中優(yōu)先考慮此型號，以提升整體系統(tǒng)效能。

IRLR024Z 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
75
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
16A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
58 毫歐 @ 9.6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
9.9nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
380pF @ 25V
功率 - 最大
35W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
管件
其它名稱
*IRLR024Z

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IRLR024ZPBF
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IRLR010NTRR
IRLR014
IRLR014A
IRLML6401TRPBF

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