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IRFSL3107PBF

更新時間:2025-07-04 00:23:30

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IRFSL3107PBF外觀圖

IRFSL3107PBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 75V 195A TO262

封裝:TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

IRFSL3107PBF 概述

IRFSL3107PBF是由Infineon Technologies生產的N溝道功率MOSFET。該器件采用SuperSO8封裝，具有低導通電阻和高效率特點，適用于需要高效功率轉換的應用場景。其最大漏極電流可達65A，柵源電壓為±20V，適用于中等功率級別的電路設計。典型應用場景包括直流-直流轉換器、不間斷電源（UPS）、電機驅動以及電池管理系統(tǒng)等。在這些應用中，IRFSL3107PBF能夠有效降低開關損耗，提高系統(tǒng)整體效率。由于其緊湊的封裝尺寸，特別適合空間受限的設計方案。使用時需注意散熱設計，以確保器件長期穩(wěn)定工作。在電路設計中，建議配合合適的柵極驅動電路，優(yōu)化開關性能。

IRFSL3107PBF 規(guī)格參數

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
75V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
195A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3 毫歐 @ 140A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
240nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
9370pF @ 50V
功率 - 最大
370W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應商設備封裝
TO-262
包裝
管件

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IRFS17N20DTRR
IT8712F-A

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