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IRFIBC30G

更新時間:2025-05-18 10:38:16

供應商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市金科創(chuàng)世紀電子有限公司
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深圳市華美銳電子有限公司
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只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

深圳市華美銳科技有限公司
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原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

深圳市科圳威電子有限公司
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深圳原裝現(xiàn)貨，可看貨可提供拍照

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一級代理，原廠排單到貨，可開原型號13%專用發(fā)票

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深圳市誠研翔科技有限公司
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原裝正品,配單能手

深圳市金城微零件有限公司
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原裝MOS管，深圳惠州兩倉服務

海芯未來半導體電子（深圳）有
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IRFIBC30G 概述

IRFIBC30G是由英飛凌科技公司生產(chǎn)的N溝道MOSFET。這款MOSFET采用SuperSO8封裝，具有低導通電阻和高效率特性，適用于高頻開關應用。其柵極電荷較低，有助于降低驅動損耗，提升整體系統(tǒng)能效。典型應用場景包括同步整流、DC-DC轉換器、電源管理模塊等需要高效功率轉換的場合。在筆記本電腦、服務器和通信設備的電源電路中表現(xiàn)尤為出色。使用時需注意柵極電壓應在規(guī)定范圍內(nèi)，避免過壓損壞柵極氧化層。設計PCB布局時應盡量減小源極和柵極之間的寄生電感，以防止振蕩現(xiàn)象發(fā)生。推薦在柵極串聯(lián)一個小電阻來抑制開關過程中的電壓尖峰。

IRFIBC30G 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IRFIBC30G
標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2.2 歐姆 @ 1.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
31nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
660pF @ 25V
功率 - 最大
35W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 全封裝，隔離接片
供應商設備封裝
TO-220-3
包裝
管件
其它名稱
*IRFIBC30G

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