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IRFD024

更新時間:2025-05-19 13:28:09

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詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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IRFD024 概述

IRFD024是由International Rectifier公司（現(xiàn)已被Infineon收購）生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該器件采用D-PAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于多種應用場合。此MOSFET廣泛應用于電源管理電路、直流電機驅動、負載開關等場景。其最大漏源電壓為60V，在室溫下連續(xù)漏極電流可達12A。由于其良好的熱性能和電氣特性，常用于需要高效能量轉換的設備中。在實際應用時應注意柵極驅動電壓的選擇，確保完全開啟MOSFET。例如，在一個簡單的低壓直流電機驅動電路中，可以將IRFD024作為開關元件，通過PWM信號控制電機轉速，同時要保證散熱措施到位以避免過熱損壞。

IRFD024 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IRFD024
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
100 毫歐 @ 1.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
25nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
640pF @ 25V
功率 - 最大
1.3W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
4-DIP（0.300"，7.62mm）
供應商設備封裝
4-DIP，Hexdip，HVMDIP
包裝
管件
其它名稱
*IRFD024

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IRFD024PBF
IRFD010
IRFD014
IRFD014PBF
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IRFD110
IRF830

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