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IRF7490TRPBF

更新時間:2025-05-17 22:42:30

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詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳市藍山航業(yè)科技有限公司
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深圳市岳泰達電子有限公司
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深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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深圳市華美銳電子有限公司
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IRF7490TRPBF外觀圖

IRF7490TRPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

IRF7490TRPBF 概述

IRF7490TRPBF是國際整流器公司（現為英飛凌旗下品牌）生產的一款N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用TO-252封裝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高頻應用。其最大漏源電壓為30V，連續(xù)漏極電流可達68A，在電源管理、電機驅動及DC-DC轉換器等場合表現優(yōu)異。在實際應用中，需注意柵極驅動電路的設計以確保MOSFET可靠開啟與關閉，避免因過沖導致器件損壞。此外，散熱設計也很關鍵，推薦使用適當的散熱器或散熱片來保證工作溫度處于安全范圍內。此款MOSFET廣泛應用于消費電子、工業(yè)控制等領域。

IRF7490TRPBF 規(guī)格參數

標準包裝
4,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
5.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
39 毫歐 @ 3.2A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
56nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1720pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SO
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IRF7490TRPBF-NDIRF7490TRPBFTR

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IR2110S

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