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IRF7105TRPBF

更新時間:2025-05-16 19:37:39

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IRF7105TRPBF外觀圖

IRF7105TRPBF

International Rectifier FET - 陣列

MOSFET N+P 25V 2.3A 8-SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

IRF7105TRPBF 概述

IRF7105TRPBF是由Infineon Technologies生產的N溝道MOSFET。它采用PowerPAK SO-8封裝，具有低導通電阻和高開關速度的特點。該器件最大漏源電壓為20V，適合在低壓電路中使用。其典型應用包括負載開關、電源管理以及DC-DC轉換器等場景。由于其快速的開關特性和低功耗表現，在便攜式設備如手機和平板電腦中常被用作電源管理部分的關鍵元件。在實際應用中，建議注意驅動電壓的選擇以確保MOSFET能完全開啟，同時需關注散熱設計避免過熱現象。在設計電路時，可以將它與電感、電容等元件搭配用于構建高效的降壓或升壓變換電路。

IRF7105TRPBF 規(guī)格參數

標準包裝
4,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 陣列
系列
HEXFET®
FET 型
N 和 P 溝道
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
25V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3.5A，2.3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
100 毫歐 @ 1A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
27nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
330pF @ 15V
功率 - 最大
2W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SO
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IRF7105PBFTR

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