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IRF510STRRPBF

更新時間:2025-06-21 11:47:38

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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深圳市偉科芯電子科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，當天可交貨，原型號開票

深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市萬佳電子貿(mào)易有限公司
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深圳市粵東誠信電子有限公司
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深圳市吉翰電子有限公司
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深圳市福田區(qū)超洋芯電子經(jīng)營部
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深圳市科鑫美電子有限公司
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深圳市芯創(chuàng)恒微電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨，優(yōu)勢渠道

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IRF510STRRPBF 概述

IRF510STRRPBF是由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道MOSFET，采用表面貼裝的TO-252封裝。該器件適用于高頻開關(guān)應(yīng)用，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性。其設(shè)計使得它在電源管理電路、電機驅(qū)動以及DC-DC轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)出色。在電源管理系統(tǒng)中，IRF510STRRPBF常用于同步整流電路，提高效率并減少熱損耗。對于電機驅(qū)動應(yīng)用，它可以有效地控制電機的速度與方向，確保平穩(wěn)運行。此外，在DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計里，此款MOSFET能夠?qū)崿F(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換，滿足便攜式設(shè)備對小型化和高效率的需求。使用時應(yīng)注意，柵極電壓需達到規(guī)定值才能保證完全導(dǎo)通，避免因欠壓導(dǎo)致的高導(dǎo)通損耗。同時，在布局PCB時，應(yīng)盡量縮短源極和漏極之間的走線長度，以減小寄生電感影響，確保穩(wěn)定工作。

IRF510STRRPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
800
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
5.6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
540 毫歐 @ 3.4A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
8.3nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
180pF @ 25V
功率 - 最大
3.7W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-263（D2Pak）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IRF510STRRPBF-NDIRF510STRRPBFTR

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IRF511
IRLML6401TRPBF

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