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IRF1310NSTRLPBF

更新時間:2025-07-05 18:26:09

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Infineon Technologies
-/23+
英特翎科技原裝

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IRF1310NSTRLPBF外觀圖

IRF1310NSTRLPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

IRF1310NSTRLPBF 概述

IRF1310NSTRLPBF是由International Rectifier（已被Infineon收購）生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該器件采用表面貼裝封裝（D2PAK），具有低導通電阻和高電流處理能力，適合高頻開關(guān)應用。其最大漏源電壓為60V，在柵極驅(qū)動電壓為10V時的典型導通電阻僅為7.5mΩ，這有助于減少能量損耗并提高效率。此MOSFET廣泛應用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電動工具、電機控制以及需要高效電源管理的消費電子產(chǎn)品中。在設計電路時，應注意合理選擇柵極驅(qū)動電阻以防止過沖，并確保PCB布局能夠有效散熱。對于高頻率開關(guān)應用，還需優(yōu)化寄生電感以減少開關(guān)損耗。由于其出色的熱性能和電氣特性，它也是工業(yè)自動化設備和汽車電子系統(tǒng)中的理想選擇。

IRF1310NSTRLPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
800
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
42A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
36 毫歐 @ 22A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
110nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1900pF @ 25V
功率 - 最大
3.8W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IRF1310NSTRLPBF-NDIRF1310NSTRLPBFTR

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IRF1010ES
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