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IPD09N03LBG

更新時間:2025-06-26 10:41:06

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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IPD09N03LBG 概述

IPD09N03LBG是英飛凌科技公司生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET，采用先進Trench技術制造。該器件具有低導通電阻和快速開關特性，非常適合用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載開關和電池管理等高效能電源管理應用中。它能在低電壓環(huán)境下提供優(yōu)異的性能表現(xiàn)，在30V的漏源電壓下工作。其封裝形式為節(jié)省空間的SOT-223，便于在緊湊型電路設計中使用。在實際應用中，使用時需注意散熱設計以確保穩(wěn)定運行，并且要根據(jù)具體電路需求合理選擇柵極驅(qū)動電阻值來優(yōu)化開關速度和EMI性能。

IPD09N03LBG 規(guī)格參數(shù)

制造商
Infineon
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
30 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
50 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
14.2 m Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TO-252
封裝
Reel
下降時間
3 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
58 W
上升時間
5 ns
典型關閉延遲時間
20 ns

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IPD031N03L G
IPD031N03LG
IPD031N06L3
IPD031N06L3G
IRF520

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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