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IPD050N03L G

更新時間:2025-05-25 10:02:14

供應商
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服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨INFINEON優(yōu)勢，可出售樣品，研發(fā)選型BOM配

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上海熠富電子科技有限公司
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上海原裝現(xiàn)貨庫存，歡迎查詢

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公司現(xiàn)貨原裝

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INFINEON/英飛凌
TO3P/22+
官網可查icscjh.com

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海芯未來半導體電子（深圳）有
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深圳市騰迅輝電子科技有限公司
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現(xiàn)貨假一罰萬只做原廠原裝現(xiàn)貨

深圳市威雅利發(fā)展有限公司
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原裝現(xiàn)貨

深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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深圳市安富世紀電子有限公司
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原裝，原廠渠道，十年BOM配單專家

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原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢商全新進口深圳現(xiàn)貨原盒原包

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原裝現(xiàn)貨，價格優(yōu)勢，提供配單服務

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原裝現(xiàn)貨，只做自己優(yōu)勢

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深圳市宏捷佳電子科技有限公司
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深圳原裝現(xiàn)貨，可看貨可提供拍照

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只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

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IPD050N03L G 概述

IPD050N03L G是英飛凌科技公司生產的一款N溝道功率MOSFET。它采用先進的OptiMOS技術，具有超低導通電阻和快速開關特性，適用于高效直流-直流轉換器、負載點電源以及電池供電設備等應用場合。該器件能夠承受高達30V的漏源電壓，在10V柵源電壓下典型導通電阻僅為4.7mΩ，有助于降低系統(tǒng)功耗并提高整體效率。在實際應用中，推薦使用合適的柵極驅動電路以確保MOSFET穩(wěn)定工作，避免因驅動不足導致的發(fā)熱問題。對于高頻開關應用，需注意PCB布局以減小寄生電感影響。

IPD050N03L G 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IP(D,F,S,U)050N03L G
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
50A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
5 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
31nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
3200pF @ 15V
功率 - 最大
68W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
PG-TO252-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IPD050N03LGIPD050N03LGINTRIPD050N03LGXTSP000254716SP000680630

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