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FQT7N10TF

更新時間:2025-05-22 21:02:49

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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
FQT7N10TF
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市萬佳電子貿易有限公司
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深圳市科翼源電子有限公司
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深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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中科航電（深圳）電子集團有限
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云漢時代半導體(深圳）有限公
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FQT7N10TF外觀圖

FQT7N10TF

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

封裝:TO-261-4，TO-261AA

FQT7N10TF 概述

FQT7N10TF是安森美半導體生產的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻特性，在柵極電壓為10V時，最大導通電阻僅為0.125Ω。其漏源擊穿電壓為100V，連續(xù)漏極電流可達7A。它適用于多種應用場景，如直流-直流轉換器、電機驅動以及功率負載開關等。在電路設計中，由于其低導通電阻和高耐壓能力，可以有效降低功率損耗并提高系統效率。使用時需注意散熱設計以確保穩(wěn)定工作，特別是在大電流應用場合下。對于電機驅動應用，可將其放置在H橋電路中用于控制電機的正反轉。

FQT7N10TF 規(guī)格參數

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
4,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
350 毫歐 @ 850mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
7.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
250pF @ 25V
功率 - 最大
2W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-261-4，TO-261AA
供應商設備封裝
SOT-223-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FQT7N10TF-NDFQT7N10TFTR

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