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FQPF12N60C

更新時間:2025-05-20 11:31:14

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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳市瑞新盛科技有限公司
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FQPF12N60C外觀圖

FQPF12N60C

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 600V 12A TO-220F

封裝:TO-220-3 整包

FQPF12N60C 概述

FQPF12N60C是飛兆半導體（Fairchild Semiconductor）生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220F封裝，適用于多種高電壓應用。它具有低導通電阻和快速開關特性，在600V耐壓條件下可提供高達12A的連續(xù)漏極電流。這款MOSFET常用于電源轉換器、不間斷電源(UPS)、電機驅動器以及高頻開關電源等應用場景。在這些場合中，其高效能和可靠性能夠顯著提升系統(tǒng)整體性能并降低功耗。設計時應注意合理布局PCB以優(yōu)化散熱效果，并遵循制造商推薦的柵極驅動電路參數以確保穩(wěn)定工作。例如，在DC-DC轉換器設計中，可以利用其快速開關特性實現更高效率的能量轉換。

FQPF12N60C 規(guī)格參數

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
12A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
650 毫歐 @ 6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
63nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2290pF @ 25V
功率 - 最大
51W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220F
包裝
管件

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FQPF10N20
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FQPF10N60
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