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FQD9N25TM

更新時間:2025-06-06 08:41:09

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詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市華美銳科技有限公司
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昂富（深圳）電子科技有限公司
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藍界科技（深圳）有限公司
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4000
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FQD9N25TM外觀圖

FQD9N25TM

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FQD9N25TM 概述

FQD9N25TM是Fairchild Semiconductor生產的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻開關電源應用。其最大漏源電壓為250V，可承受高達9A的連續(xù)漏極電流，在柵極驅動電壓為10V時典型導通電阻僅為0.34Ω。在實際應用中，這款MOSFET常用于AC-DC和DC-DC轉換器、電機驅動器以及照明控制電路等場合。使用時應注意保證柵極驅動電壓足夠高以實現最低導通電阻，減少功耗。此外，由于其較高的擊穿電壓，適合于需要高壓側開關的應用場景。在PCB布局時，盡量縮短源極與柵極之間的走線距離，減少寄生電感對開關性能的影響。

FQD9N25TM 規(guī)格參數

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
250V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
7.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
420 毫歐 @ 3.7A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
700pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)

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