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FQD2N60C

更新時間:2025-06-24 00:06:59

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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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深圳市安富世紀電子有限公司
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深圳市勤尚偉業(yè)電子有限公司
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳市科圳威電子有限公司
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優(yōu)勢產(chǎn)品原裝現(xiàn)貨

深圳市誠研翔科技有限公司
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FQD2N60C 概述

FQD2N60C是一款N溝道增強型功率MOSFET，由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產(chǎn)。它采用TO-251封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。該MOSFET的漏源電壓(VDS)可達600V，連續(xù)漏極電流(ID)在25°C時為2A。由于其高電壓和相對較低的導通損耗，適用于交流-直流(AC-DC)和直流-直流(DC-DC)電源轉(zhuǎn)換器中作為初級開關元件。此外，也可用于電機驅(qū)動、照明系統(tǒng)以及工業(yè)控制設備等需要高效能量轉(zhuǎn)換的應用場景。在實際應用中，建議合理選擇柵極電阻來優(yōu)化開關速度，并注意散熱設計以確保器件穩(wěn)定運行。

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廣東微爾科技有限公司

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FQD2N60CTF
FQD2N60CTM
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FQD20N06L
FQD20N06LE
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FT2232D

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