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FGD3N60LSD

更新時間:2025-07-04 00:53:15

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FGD3N60LSD 概述

FGD3N60LSD是一款由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產(chǎn)的高壓N溝道MOSFET。該器件采用先進的功率半導體工藝制造，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓(VDS)為600V，連續(xù)漏極電流(ID)在25°C時可達3A。FGD3N60LSD適用于高頻開關電源、照明控制、電機驅(qū)動等應用場合。其優(yōu)化的柵極電荷使得在高頻條件下也能實現(xiàn)高效能轉換，減少開關損耗。此外，該MOSFET還具備較高的雪崩能量耐量，增強了系統(tǒng)在瞬態(tài)條件下的可靠性。由于其緊湊的封裝設計，非常適合空間受限的應用環(huán)境。

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廣東微爾科技有限公司

FGD3N60LSD推薦型號

>> 更多FGD3N60LSD相關熱門型號

FGD3N60LSD
FGD3N60LSDTM
FGD3N60UNDF
FDV303N

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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