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FDP10N60NZ

更新時間:2025-07-18 01:49:11

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數(shù)量
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詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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FDP10N60NZ外觀圖

FDP10N60NZ

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220

封裝:TO-220-3 整包

FDP10N60NZ 概述

FDP10N60NZ是安森美半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導通電阻和高開關(guān)速度的特點，適用于高效能電源轉(zhuǎn)換應用。其最大漏源電壓為600V，連續(xù)漏極電流可達10A。此款MOSFET廣泛應用于開關(guān)電源、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）、直流-直流轉(zhuǎn)換器以及電動機控制等場景。在電路設(shè)計中，建議合理選擇柵極驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關(guān)性能并減少電磁干擾。使用時需注意散熱設(shè)計，確保器件工作在安全溫度范圍內(nèi)。典型應用電路包括同步整流電路，其中可與其他MOSFET配合實現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換。在實際應用中，要關(guān)注柵極電壓的穩(wěn)定性，避免因電壓波動導致器件損壞或性能下降。

FDP10N60NZ 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
UniFET-II™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
10A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
750 毫歐 @ 5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
30nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1475pF @ 25V
功率 - 最大
185W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設(shè)備封裝
TO-220
包裝
管件

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廣東微爾科技有限公司

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