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FCA35N60

更新時間:2025-06-12 10:28:39

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FCA35N60外觀圖

FCA35N60

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 600V 35A TO-3PN

封裝:TO-3P-3，SC-65-3

FCA35N60 概述

FCA35N60是飛兆半導體（Fairchild Semiconductor）生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件專為高壓應用設計，具有600V的漏源電壓額定值和高達35A的連續(xù)漏極電流能力。其低導通電阻特性有助于減少功率損耗，提高系統(tǒng)效率，適用于開關電源、電機驅動和逆變器等需要高效功率轉換的應用場景。在實際應用中，F(xiàn)CA35N60常用于高頻開關電路中，如DC-DC轉換器和AC-DC整流器。為了確保最佳性能，在布局PCB時應盡量縮短柵極走線長度以減少寄生電感影響，并合理配置去耦電容以穩(wěn)定供電。此外，柵極驅動電路的設計需注意提供足夠的驅動電流來實現(xiàn)快速開關，避免因開關速度不足導致的過熱問題。對于高可靠性需求的應用場合，建議進行充分的熱設計分析，保證散熱良好，從而延長器件使用壽命。

FCA35N60 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
SuperFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
35A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
98 毫歐 @ 17.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
181nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
6640pF @ 25V
功率 - 最大
312.5W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
供應商設備封裝
TO-3PN
包裝
管件

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