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救命!為什么16F877的EEPROM寫(xiě)不進(jìn)去

作者:bean_cheng 欄目:單片機(jī)
救命!為什么16F877EEPROM寫(xiě)不進(jìn)去
  
   請(qǐng)問(wèn)16F877EEPROM為什么寫(xiě)不進(jìn)去啊 ,急啊 !!

求助那位大俠幫看看,

我用的仿真器是PICMATE 2002  編譯器是HI-TECH PICC Version 8.05PL2

下面是程序

#include <pic.h>
main()
{
#asm

    BSF     _STATUS,6
    BCF     _STATUS,5   //選定體2
    MOVLW 06H       //取地址
    MOVWF   _EEADR        //送地址寄存器
    MOVLW 01H      //取數(shù)據(jù)
    MOVWF   _EEDATA       //送數(shù)據(jù)寄存器
    BSF     _STATUS,5   //選定體3
    BCF     _EECON1,7 //選定EEPROM為訪問(wèn)對(duì)向
    BSF     _EECON1,2  //開(kāi)放寫(xiě)操作使能控制
    BCF     _INTCON,7
    MOVLW   55H         //
    MOVWF   _EECON2       //送55H到寄存器EECON2
    MOVLW   0AAH         //
    MOVWF   _EECON2       //送AAH到寄存器EECON2
    BSF     _EECON1,1   //啟動(dòng)寫(xiě)操作
    BSF     _INTCON,7
    BCF     _EECON1,2  //禁止寫(xiě)操作發(fā)生

   WAIT    

              BTFSC   _EECON1,1
              GOTO    WAIT

    BCF     _STATUS,5   //選體2為當(dāng)前體
    BSF     _STATUS,6   //
    MOVLW   06H       //取地址
    MOVWF   _EEADR        //送地址寄存器
    BSF     _STATUS,5   //選體3為當(dāng)前體
    BCF     _EECON1,7  //選定EEPROM為訪問(wèn)對(duì)象
    BSF     _EECON1,0     //啟動(dòng)讀操作
    BCF     _STATUS,5    //體2為當(dāng)前體
    MOVF    _EEDATA,W      //取數(shù)據(jù)
    BCF     _STATUS,6    //體0為當(dāng)前體
    MOVWF   50H // 數(shù)據(jù)移到體0地址為50H寄存器

#endasm
while(1)
{};
}
//我的目的是將1寫(xiě)入EEPROM 06 中  讀06將值放入FLASH 50中
//全速運(yùn)行或單步運(yùn)行EEDATA,EEADR,EECON1,EECON2均無(wú)變化,在WAIT出無(wú)停留



2樓: >>參與討論
systemchip
你也牛,匯編式C語(yǔ)音
既然用C,何苦呢!

main(void)
{  
       EEADR=0x06
       EEDATA=0x55;
       EEPGD=0;
       WREN=1;
       GIE=0;
       EECON2=0x55;
       EECON2=0xaa;
       WR=1;
       while(WR); wait write finish
       WREN=0;  ;
       
       EEADR=0x06;
       EEPGD=0;
       RD=1;
       DATA=EEDATA;
       
       while(1);
       
}       
       
       

3樓: >>參與討論
stghl
樓上兩位都費(fèi)勁
HI-TECH PICC 里面就有EEPRAM的庫(kù)函數(shù),
5
EEPROM and FLASH MEMORY macros are defined for convenience and are available for chips that have
EEPROM or FLASH MEMORY on-board. The predefined EEPROM and FLASH MEMORY macros can be used
in the following manner:
To write a byte-size VALUE to an address in EEPROM MEMORY:
EEPROM_WRITE(address,VALUE);
To read a byte of data from an address in EEPROM MEMORY, and store it in a variable:
variable=EEPROM_READ(address);
For convenience, EEPROM_SIZE predefines the total size of data EEPROM available on chip.
To write a byte-size VALUE to an address in FLASH MEMORY:
FLASH_WRITE(address,VALUE);
To read a byte of data from an address in FLASH MEMORY, and store in in a variable:
variable=FLASH_READ(address);

4樓: >>參與討論
騰飛HK
re
匯編程序很少有人看的,很短的例外!

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