DDR3和DDR4是計(jì)算機(jī)內(nèi)存模塊的兩種標(biāo)準(zhǔn)，它們?cè)跀?shù)據(jù)傳輸速度、能效、密度等方面有所不同。以下是它們的主要特點(diǎn)： DDR3（Double Data Rate 3） 數(shù)據(jù)傳輸速度: DDR3內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度相對(duì)較慢，最高可達(dá)每秒16...
時(shí)間：2024-03-07 閱讀：607 關(guān)鍵詞：DDR3,DDR4
OTS 存儲(chǔ)器對(duì)下一代計(jì)算的承諾
這種替代存儲(chǔ)器（歷史上稱為存儲(chǔ)級(jí)存儲(chǔ)器）在密度和成本方面應(yīng)優(yōu)于 DRAM，同時(shí)訪問(wèn)速度比 NAND 閃存快得多。最近，生成型人工智能等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用的激增推動(dòng)了對(duì)這些存儲(chǔ)...
時(shí)間：2024-03-06 閱讀：929 關(guān)鍵詞：存儲(chǔ)器
EEPROM是“Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory”的縮寫，翻譯成中文就是“電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器”。EEPROM是一種非易失性存儲(chǔ)器，它可以用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，并且可以通過(guò)電子方式對(duì)其進(jìn)行擦除和編...
時(shí)間：2024-03-04 閱讀：1062 關(guān)鍵詞：eeprom
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種內(nèi)存芯片，用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中作為主存儲(chǔ)器使用。它是一種易失性存儲(chǔ)器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，其中的數(shù)據(jù)會(huì)丟失。DRAM通常以集成電路芯片的形式存在，用于...
時(shí)間：2024-02-26 閱讀：1217 關(guān)鍵詞：DRAM
SRAM電路通常由存儲(chǔ)矩陣、地址譯碼器和讀/寫控制電路(也稱輸入/輸出電路)三部分組成，如圖7.3.1所示?！ 〈鎯?chǔ)矩陣由許多存儲(chǔ)單元排列而成，每個(gè)存儲(chǔ)單元能存儲(chǔ)1 位二值數(shù)據(jù)(1或0)，在譯碼器和讀/寫電路的控制下，既...
時(shí)間：2024-02-20 閱讀：1139 關(guān)鍵詞：SRAM
SoC 設(shè)計(jì)：當(dāng)片上網(wǎng)絡(luò)滿足緩存一致性時(shí)
內(nèi)存層次結(jié)構(gòu)中的緩存 CPU 內(nèi)部的寄存器數(shù)量相對(duì)較少，但速度極高。CPU 可以在單個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)訪問(wèn)這些寄存器。然而，它們的存儲(chǔ)容量很小。相反，訪問(wèn)主存儲(chǔ)器以讀取或?qū)?..
時(shí)間：2024-01-24 閱讀：1168 關(guān)鍵詞：SoC
存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中用于存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)的設(shè)備。根據(jù)不同的特性和工作原理，常見的存儲(chǔ)器種類包括： 內(nèi)部存儲(chǔ)器： 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）：RAM是一種易失性存儲(chǔ)器，可讀寫。它用于臨時(shí)存儲(chǔ)正在運(yùn)行的程序和數(shù)...
時(shí)間：2024-01-23 閱讀：862 關(guān)鍵詞：存儲(chǔ)器
續(xù)流二極管的存儲(chǔ)電荷對(duì)功率 MOSFET 導(dǎo)通損耗的影響
兩種損失 原則上，功率半導(dǎo)體有兩種損耗：通態(tài)損耗和開關(guān)損耗。后者包括開通和關(guān)斷損耗。通態(tài)損耗由電流、通態(tài)電壓（對(duì)于 MOSFET，由其 R DSon）和占空比決定。在描述功...
時(shí)間：2024-01-17 閱讀：1126 關(guān)鍵詞：續(xù)流二極管
家庭儲(chǔ)能系統(tǒng)目前分為并網(wǎng)和離網(wǎng)兩種?！ 〔⒕W(wǎng)戶用儲(chǔ)能系統(tǒng)由太陽(yáng)能與儲(chǔ)能系統(tǒng)混合供電，包括太陽(yáng)能電池陣列、并網(wǎng)逆變器、BMS管理系統(tǒng)、電池組和交流負(fù)載五部分。當(dāng)市電...
時(shí)間：2024-01-16 閱讀：2331 關(guān)鍵詞：家用儲(chǔ)能系統(tǒng)電源
TI - OptiFlash 存儲(chǔ)器技術(shù)如何利用外部閃存應(yīng)對(duì)軟件定義系統(tǒng)中的挑戰(zhàn)
在寫字樓、工廠車間和汽車中，軟件正逐步取代機(jī)械部件和固定電路。例如，使用智能鎖取代機(jī)械鎖后，用戶可以通過(guò)手機(jī)應(yīng)用程序?qū)χ悄苕i進(jìn)行控制，同時(shí)制造商可通過(guò)軟件更新、改進(jìn)或校正智能鎖的功能。在這種趨勢(shì)下，人...
時(shí)間：2024-01-11 閱讀：435 關(guān)鍵詞：存儲(chǔ)器技術(shù)
邊沿觸發(fā)的觸發(fā)器電路結(jié)構(gòu)和工作原理
為了提高觸發(fā)器的可靠性，增強(qiáng)抗干擾能力，希望觸發(fā)器的次態(tài)僅僅取決于 CLK信號(hào)下降沿(或上升沿)到達(dá)時(shí)刻輸入信號(hào)的狀態(tài)。而在此之前和之后輸入狀態(tài)的變化對(duì)觸發(fā)器的次態(tài)沒(méi)...
時(shí)間：2024-01-09 閱讀：1749 關(guān)鍵詞：觸發(fā)器
CMOS 觸發(fā)器：JK、D 和 T 型觸發(fā)器
JK 觸發(fā)器 以下討論假設(shè)正邏輯 - 具有高電平有效輸入的邏輯 1?！ ∽帜?J 和 K 來(lái)自其發(fā)明者 Jack Kilby 的首字母縮寫。 JK觸發(fā)器消除了SR觸發(fā)器真值表的不確定性。...
時(shí)間：2024-01-04 閱讀：2607 關(guān)鍵詞：CMOS 觸發(fā)器
針對(duì)智能電網(wǎng)解決方案中的儲(chǔ)能元件進(jìn)行優(yōu)化的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
能源轉(zhuǎn)型正在加速。風(fēng)電、光伏等可再生能源比重不斷增長(zhǎng)。相反，必須隨時(shí)保證穩(wěn)定的電力供應(yīng)和可用性。這一不可否認(rèn)的事實(shí)提出了未來(lái)分散能源系統(tǒng)中的能量存儲(chǔ)問(wèn)題。以電流...
時(shí)間：2023-12-29 閱讀：2548 關(guān)鍵詞：DC/DC 轉(zhuǎn)換器
用于電池儲(chǔ)能的直流-交流電力電子轉(zhuǎn)換器
電源調(diào)節(jié)系統(tǒng)（PCS）僅占鋰離子 和鉛酸電池存儲(chǔ)系統(tǒng)總成本的一小部分，如圖1所示。然而，由于電池成本下降，PCS所占成本份額將會(huì)增加。電池單元的價(jià)格，如圖 2 所示。有鑒...
時(shí)間：2023-12-28 閱讀：939 關(guān)鍵詞：轉(zhuǎn)換器
并網(wǎng)電池儲(chǔ)能系統(tǒng)應(yīng)用
熱參數(shù)概述 倒裝芯片 IC 封裝的熱特性通過(guò)其 θ JA、 Ψ JT和 Ψ JB參數(shù)來(lái)表征。θ JA是結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻（以 °C/W 為單位），這是一個(gè)系統(tǒng)級(jí)參數(shù)，很大程度上取決于系統(tǒng)...
時(shí)間：2023-12-25 閱讀：629 關(guān)鍵詞：儲(chǔ)能
什么是只讀存儲(chǔ)器？（又名代碼存儲(chǔ)器、又名程序存儲(chǔ)器） 微控制器存儲(chǔ)器分為與電氣特性（例如，易失性與非易失性）和架構(gòu)因素相對(duì)應(yīng)的類別，例如 8051 內(nèi)部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和“外部”數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器之間的區(qū)別（外部 RAM ...
時(shí)間：2023-12-19 閱讀：622 關(guān)鍵詞：嵌入式內(nèi)存
內(nèi)存計(jì)算 (CiM) 已成為一種有吸引力的計(jì)算范例，可解決深度學(xué)習(xí)應(yīng)用傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中的內(nèi)存和電源墻問(wèn)題。借助 CiM，運(yùn)行深度學(xué)習(xí)算法所需的部分計(jì)算可以在內(nèi)存本身中執(zhí)行，從而...
時(shí)間：2023-12-14 閱讀：1143 關(guān)鍵詞：鐵電電容器
DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）簡(jiǎn)介
什么是 DRAM？ 內(nèi)存是計(jì)算機(jī)運(yùn)行的基礎(chǔ)。當(dāng)與 CPU 結(jié)合使用時(shí)，可以運(yùn)行指令集（程序）并存儲(chǔ)工作數(shù)據(jù)。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）是一種眾所周知的存儲(chǔ)器類型，之所以如此稱呼是因?yàn)樗軌蛞源笾孪嗤臅r(shí)間延遲訪問(wèn)...
時(shí)間：2023-12-07 閱讀：1759 關(guān)鍵詞：DRAM
小型機(jī)器學(xué)習(xí)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的內(nèi)存約束 在理解量化之前，有必要討論一下為什么神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)通常會(huì)占用如此多的內(nèi)存?！ ∩窠?jīng)網(wǎng)絡(luò)由一系列層中的一系列互連神經(jīng)元組成。如圖 1 所示，標(biāo)準(zhǔn)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)由互連的神經(jīng)元層組成，每...
時(shí)間：2023-12-06 閱讀：603 關(guān)鍵詞：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)
LPDDR 閃存：針對(duì)汽車系統(tǒng)優(yōu)化的存儲(chǔ)器
這種新功能和先進(jìn)功能的結(jié)合正在對(duì)傳統(tǒng)汽車 E/E 架構(gòu)的能力造成壓力（見圖1）。為了滿足這一需求，原始設(shè)備制造商正在通過(guò)采用域/區(qū)域架構(gòu)方法將更多功能整合到更少的系統(tǒng)...
時(shí)間：2023-12-06 閱讀：775 關(guān)鍵詞：LPDDR閃存
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