精密數(shù)字變阻器
出處:維庫電子市場(chǎng)網(wǎng) 發(fā)布于:2025-02-20 16:23:40 | 507 次閱讀
與手動(dòng)電位器相比,Dpots 僅在較窄的阻力范圍內(nèi)可用。它們通常還存在高 Wiper 電阻和電阻容忍度問題。這些限制共同使 Dpot 成為實(shí)現(xiàn)精確變阻器的困難介質(zhì)。最近的 EDN 設(shè)計(jì)理念 (DI) 文章通過各種策略和拓?fù)浣鉀Q了這些問題:
雖然這些設(shè)計(jì)中的每一種都糾正了冗長的數(shù)字變阻器缺點(diǎn)列表中的一個(gè)或多個(gè)抱怨,但沒有一個(gè)可以解決所有問題,有些還引入了自己的復(fù)雜性。示例包括交叉失真、對(duì)電阻容差的不降低靈敏度、編程電阻的分辨率降低非線性以及普通的舊復(fù)雜性。
設(shè)計(jì)
Figure 1 的電路也不是一個(gè)完美的解決方案。但它確實(shí)合成了一個(gè)精確的編程電阻,該電阻等于參考電阻 R1 線性乘以 U1 的 Rbw/Rab 數(shù)字設(shè)置(端子 B 與游標(biāo)電阻與總元件電阻之間的比率)。
圖 1一種精密數(shù)字變阻器,合成一個(gè)精確的編程電阻,該電阻等于參考電阻 R1 線性乘以 U1 的 Rbw/Rab。
以下是它的工作原理。
R = (Va – Vb)/IA
R = R1/(原始/Rbw + 1) = R1 Rbw/Rab
Rab = 原始 + Rbw = 通常為 5k 到 10k
其中 R 是編程合成電阻,R1 是參考電阻,Raw 是端子 A 和游標(biāo)端子之間的電阻,Rbw 是 B 和游標(biāo)端子之間的電阻,Rab 是總元件電阻?! 1 在“分壓器”(pot)模式下工作,以設(shè)置反相放大器 A2 的增益。Pot 模式使增益對(duì) U1 的 wiper resistance (Rw) 和 Rab 不敏感。

Ga2 = 原始/Rbw
其中 Ga2 是 A2 的增益。進(jìn)一步
R1 兩端的電壓 = (Va – Vb) + Ga2(Va – Vb) = (Raw/Rbw + 1)(Va – Vb) = Rab/Rbw(Va – Vb)通過 R1 的電流 = Ia = Rab/Rbw(Va – Vb)/R1那么,由于 R = (Va – Vb)/Ia:
R = R1*Rbw/Rab Va 由 A1 的 ~10 pA 輸入偏置輕負(fù)載,因此 R1 的范圍可以從數(shù)百歐姆到數(shù)兆歐不等,具體取決于應(yīng)用的要求。它應(yīng)該是精度,當(dāng)然是 1% 或更高;然后,編程和上述數(shù)學(xué)運(yùn)算接管。

圖 2 R 和 Rbw 之間的線性關(guān)系顯示電路合成一個(gè)精確的編程電阻,該電阻等于參考電阻 R1 線性乘以 U1 的 Rbw/Rab。
對(duì)于圖 1 所示的 A2 和 U1 器件選擇,可能不需要補(bǔ)償電容器 (C1)。但是,如果選擇更快的放大器或更高的電阻 Dpot,那么 10 pF 至 20 pF 可能是謹(jǐn)慎的做法。
同時(shí),我認(rèn)為可以公平地說,這種設(shè)計(jì)看起來與同類產(chǎn)品相比具有競(jìng)爭(zhēng)力。但之前我把它描述為不完美。除了是單端拓?fù)洌ㄈ缌斜碇械钠渌麅蓚€(gè)拓?fù)洌┲?,它還在哪些方面不成為理想數(shù)字變阻器 (Digistat) 問題的完整解決方案?
缺點(diǎn)

圖 3 Ga2(紅色)和 R/R1(黑色)與 Rbw/Rab 在 x 軸上的關(guān)系圖。當(dāng) R 的編程值下降時(shí),Ga2 必須上升。
這些影響對(duì)設(shè)計(jì)效用的影響的嚴(yán)重程度,無論是輕微的、嚴(yán)重的還是致命的,都將取決于你需要在 R/R1 中降低多少以及應(yīng)用程序的其他細(xì)節(jié)。所以,它肯定不完美,但也許它在某個(gè)地方仍然有用。
雙端子設(shè)計(jì)
關(guān)于那個(gè)單一的終端問題。如果您的應(yīng)用絕對(duì)需要雙端子可編程電阻,則可以考慮圖 4。根據(jù)外部電路的不同,它可能不會(huì)振蕩。
圖 4復(fù)制并交叉連接圖 1 的電路,以獲得雙端子可編程電阻。
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