簡單的高壓 MOSFET 逆變器使用低壓晶體管 Q 1和涉及 D 6的特殊布置解決了驅(qū)動高側(cè) MOSFET 的問題（圖 1）。該逆變器比光耦合器驅(qū)動的逆變器快得多，因此死區(qū)時間問題很小。逆變器具有常用的阻塞二極管D 4和D 6以及并聯(lián)二極管D 5和D 8。 Q 3向Q 2提供關(guān)斷信號。當(dāng)Q 3導(dǎo)通時，Q 2的柵極通過R 4短路至地。 R 4限制電流并抑制振蕩。 Q 2的柵極快速放電；僅R 4的值限制放電時間。由于 R 2，Q 1保持關(guān)閉狀態(tài)，C 3通過 D 2充電至 12V 。柵極脈沖產(chǎn)生通過C 4 的電流，并且D 3保護Q 1的基極-發(fā)射極結(jié)。

      圖 1該電路可能是您可以構(gòu)建的最簡單的高壓逆變器。

　　在 Q 2導(dǎo)通時，會發(fā)生以下情況：當(dāng)控制輸入 PWM 變低時，由于 D 7 的作用，Q 3快速關(guān)閉。位移電流C 4 ×dV/dt通過C 4流至Q 1的基極。 Q 1對Q 3的輸出電容和Q 2的柵極電容充電，并且Q 2導(dǎo)通。 C 3提供集電極電流。如果周期較長，Q 1保持導(dǎo)通，補償Q 3的漏電。如果 D 6是漏電的肖特基二極管，則必須減小 R 1的值。兩個MOSFET之間存在較短的交叉導(dǎo)通周期，這種現(xiàn)象在Q 3關(guān)斷而Q 2導(dǎo)通時更為明顯。與主電源串聯(lián)的小電感器 L 1限制電流尖峰。電感器需要一個由 D 1、R 1和 C 2組成的緩沖器。請注意，電感值是保守值，可以更小?！　∵@些值適用于具有 150% 過載能力的 370W 三相逆變器。如果更改 MOSFET，C 4的值必須根據(jù)總柵極電荷加上 Q 3的輸出電容而變化，該值要低得多，實際上可以忽略不計。 Q 1放大電容器電流，因此C 4與Q G2 ×h FE1成正比。使C 4的值不要高于必要值，因為Q 1中的基極電流會太高。為了獲得電路的所有速度優(yōu)勢，PWM信號應(yīng)該能夠快速驅(qū)動Q 3。如果需要，可以使用緩沖電路（圖2）。您可以使用單個 CMOS 門驅(qū)動電路。圖 1 中的電路可能是您可以設(shè)計的最簡單的高壓逆變器。它已服務(wù)于數(shù)千個 0.37 至 0.75 kW 的三相電機驅(qū)動器。

     圖 2該緩沖器提高了圖 1 電路的 PWM 輸入的速度。