于專用集成電路的出現(xiàn)，電流監(jiān)測變得更加簡單。電流監(jiān)測集成電路隨處可見，而且在大多數(shù)情況下效果很好，各種儀表放大器也是如此，因此使用分立器件構(gòu)建電流監(jiān)測器似乎有些多余，但在某些情況下，使用分立元件的電路可能是最佳方法，尤其是如果可以使用隨處可見的低壓部件?！　”驹O計方案中的電路源于需要監(jiān)控伺服系統(tǒng) +180/180V 電源的兩個電源軌中的電流。圖 1顯示了用于監(jiān)控負電源軌的電路的相關部分。監(jiān)控正電源軌的電路用 pnp 器件代替了 npn。使用廉價的雙晶體管和 1% 電阻來設置 Iref 以及 Re1 和 Re2 可獲得最佳效果。Rsens應為 0.1%，并充分考慮功率耗散。

　　圖 1負電源軌監(jiān)控電路
　　這種電路以及所有使用這種拓撲的電路的靈感源自電流鏡拓撲和以下概念：Rsense 中的變化電流以及因此 Rsense 兩端的電壓會以線性方式改變 Re2 中的電流以及因此 Rc1 兩端的電壓。
　　圖 1 中的電路的實用性歸功于 Re1 和 Re2。使 Ireffairy 非常小，使 Re2 和 Re1 非常大且值相等，可增加發(fā)射極電壓相對于 Rsense 兩端電壓的相對值。這反過來又降低了當負載在無負載和滿負載之間變化時輸出器件的 Vce 的變化。
　　因此，通過合理選擇 Iref、Re1、Re2、Rc2 和 Rc1，可以防止 Q2 進入飽和狀態(tài)，同時不會超過晶體管的最大工作電壓。請記住，hoe=I（集電極）/VA （早期電壓）意味著減少 Icals 的變化會減少 β 的變化，從而改善線性度。Rc是 Rc1 和 Rc2 的總和，因此 Rc1/Rc 比率決定了無負載時 Vout? 處的偏移量。滿載時 Rsense 上產(chǎn)生的電壓決定了 Re2 和 Rc1 中電流的變化，因此決定了 Vout? 處的滿量程輸出。一旦確定了 Iref 的值，計算 Rc 和 Rd 上所需的無負載電壓就很簡單了。通過使用發(fā)射極電阻，變化的 Vce 對 Q2 的 β 的影響顯著降低，并且檢查模擬數(shù)據(jù)表明 β 的變化對負載電流和輸出電壓之間的相關性的影響相對較小。從所獲得的結(jié)果來看，使用類似于威爾遜電流鏡的配置可能是不必要的?！　D 2 和圖 3顯示了恒流源產(chǎn)生 Iref 的替代方案。如果 Vss 穩(wěn)定且無紋波，則可以省略恒流發(fā)生器，并可以選擇 Rd 的值來提供 Iref。

　　圖2恒流源產(chǎn)生Iref的替代方案。

　　圖 3 FET 偏置設置使得啟動時 Iref 不會導致 Vce 或 Vds 超過最大值?！　D 4反轉(zhuǎn) Vout、 ，消除偏移，將輸出調(diào)整至所需范圍，并可過濾輸出以處理電源紋波或負載尖峰。如果使用帶 ADC 的微控制器，則電路可簡化為僅反轉(zhuǎn) Vout。

　　圖 4反轉(zhuǎn) Vout? 可消除偏移，將輸出縮放到所需范圍，并可過濾輸出以處理電源紋波或負載尖峰。