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適用于低功率驅(qū)動(dòng)器的 21mm x 36mm“PFC + 逆變器”智能功率模塊

出處:維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng) 發(fā)布于:2024-06-20 16:23:29 | 765 次閱讀

  介紹了一種針對(duì)低功率驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化的 PFC+逆變器 IPM(智能功率模塊)。三相逆變器和單個(gè)升壓 PFC 級(jí)集成在一個(gè)小型 DIL(雙列直插式)傳遞模塑型封裝中,并帶有 SOI(絕緣體上硅)柵極驅(qū)動(dòng)器。使用此 IPM,可以大大減小系統(tǒng)的尺寸和成本
  概述 新型 IPM 的內(nèi)部電路由逆變器級(jí)和 PFC 級(jí)組成。三相逆變器級(jí)具有六個(gè)額定電壓為 600V 的 TRENCHSTOPTM IGBT 和六個(gè)發(fā)射極控制二極管,以及一個(gè)提供集成自舉電路的 SOI 柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 和用于溫度監(jiān)控的熱敏電阻。PFC 級(jí)由一個(gè)額定電壓為 650V 的TRENCHSTOPTM IGBT和一個(gè)具有快速和軟開(kāi)關(guān)特性的快速開(kāi)關(guān)發(fā)射極控制二極管組成(圖 1)?! ?nèi)部電路

  圖 1:內(nèi)部電路
  降低成本
  最小化總成本是系統(tǒng)工程師在開(kāi)發(fā)新型電機(jī)驅(qū)動(dòng)器時(shí)最重要的考慮因素。不僅 IPM 本身、散熱器和 PCB 等材料成本,而且開(kāi)發(fā)上市時(shí)間也是總成本的主要因素。
  小型化傳遞模塑封裝(封裝尺寸和結(jié)構(gòu))  圖 2 顯示了高集成度 IPM 的封裝輪廓。該 IPM 采用緊湊尺寸的英飛凌科技 CIPOSTM(控制集成電源系統(tǒng))迷你封裝,尺寸為 21 毫米 x 36 毫米 x 3.1 毫米。新 IPM 已獲得 UL 認(rèn)證(UL 1557 文件 E314539),并符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。

  外觀
  圖 2:外部視圖  采用具有良好導(dǎo)熱性的DCB(直接銅鍵合)基板作為高熱性能基板。圖 3 顯示了新 IPM 的橫截面圖。所有主要熱源(如 IGBT 和二極管)都安裝在 DCB 上,以充分利用此封裝的傳熱能力。因此,即使封裝尺寸非常緊湊,新 IPM 也可以成為高達(dá) 3kW 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的絕佳解決方案 [1]。

  橫截面視圖
  圖 3:橫截面視圖
  散熱器和 PCB 尺寸
  所有功率半導(dǎo)體元件(即橋式整流器、用于 PFC 的分立 IGBT、分立升壓二極管和用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的 IPM)通常都安裝在一個(gè)散熱器上,以便散熱。圖 4 顯示了通過(guò)將分立功率半導(dǎo)體和驅(qū)動(dòng)器集成到一個(gè)封裝中,可以減少 PCB 和散熱器的尺寸,并簡(jiǎn)化組裝過(guò)程 [2]。  分離式 PFC 和逆變器 IPM 解決方案 全新 IPM 解決方案

  4a:分立式 PFC 和逆變器 IPM 解決方案


  4b:全新 IPM 解決方案
  發(fā)展速度加快
  在系統(tǒng)開(kāi)發(fā)過(guò)程中,電路設(shè)計(jì)、圖稿和 PCB 組裝需要花費(fèi)大量時(shí)間(參考板,圖 5 和 6)。為了減少此過(guò)程所花費(fèi)的時(shí)間,并快速確定新 IPM 是否可以運(yùn)行電機(jī),我們開(kāi)發(fā)了一個(gè)參考板。運(yùn)行電機(jī)所需的最小外圍設(shè)備安裝在板上,其他外圍設(shè)備(如 PWM 信號(hào)、+5/+15V 直流電源、PFC 電感器、DC 鏈路電解電容器)可通過(guò)與參考板的電線連接從板外使用。
  額定電壓為 650V 的 PFC 級(jí)
  英飛凌科技根據(jù)其 PFC IGBT 特性開(kāi)發(fā)了兩種產(chǎn)品。它們是用于 20kHz 開(kāi)關(guān)頻率的 High Speed 3 (HS3) 和用于 40kHz 開(kāi)關(guān)頻率的 TRENCHSTOPTM 5 (TS5),如表 1 所列。英飛凌的快速發(fā)射極控制二極管經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可與 TRENCHSTOPTM IGBT 一起用作 PFC 拓?fù)渲械纳龎憾O管。它結(jié)合了低 VF 以降低傳導(dǎo)損耗和低 Irr 以降低 IGBT 的 Eon [3]。所有功率器件的額定電壓均為 650V,并且它針對(duì)不穩(wěn)定的交流電網(wǎng)提供了更高的可靠性和耐用性 [4]。

 
  圖 5b:參考板結(jié)構(gòu)背面  參考板應(yīng)用示例

  圖6:參考板應(yīng)用示例

  逆變級(jí)特點(diǎn)
  逆變器級(jí)具有多種功能,可確保逆變器的安全運(yùn)行。這些功能可通過(guò)堅(jiān)固的 SOI 柵極驅(qū)動(dòng)器和熱敏電阻來(lái)實(shí)現(xiàn)。
  VBS=15V 時(shí)允許信號(hào)傳輸?shù)呢?fù) VS 電位最高可達(dá) -11V
  集成引導(dǎo)功能
  所有通道均欠壓鎖定
  預(yù)防交叉?zhèn)鲗?dǎo)
  保護(hù)期間所有 6 個(gè)開(kāi)關(guān)均關(guān)閉
  過(guò)流關(guān)斷
  溫度監(jiān)控器
  過(guò)流保護(hù)
  新型 IPM 監(jiān)控 ITRIP 引腳電壓,當(dāng)電壓超過(guò) VIT、TH+(正向閾值電壓)時(shí),將激活故障信號(hào),并關(guān)閉所有 6 個(gè) IGBT。最大過(guò)流跳閘水平通常設(shè)置為額定集電極電流的 2 倍以下 [5]。  過(guò)流保護(hù)時(shí)序圖

  圖7:過(guò)流保護(hù)時(shí)序圖
  過(guò)溫保護(hù)  為了實(shí)現(xiàn)過(guò)溫保護(hù),該 IPM 中集成了一個(gè)熱敏電阻。25°C 時(shí)電阻通常為 85kΩ,100°C 時(shí)電阻通常為 5.4kΩ(圖 8)。

  熱敏電阻阻值與溫度  圖 8:熱敏電阻阻值與溫度的關(guān)系

  如圖 9 所示,VFO 引腳直接連接到微控制器的 ADC 和故障檢測(cè)端子,因?yàn)闊崦綦娮枧c具有開(kāi)漏配置的故障輸出端子并聯(lián)。例如,當(dāng)上拉電阻 R1 為 3.6kΩ 時(shí),VFO 電壓在約 100°C 時(shí)為 2.95Vtyp。Vcrt=5V 時(shí),Vcrt=3.3V 時(shí)為 1.95V,如圖 10 所示。
  熱評(píng)估
  圖 11 是測(cè)試電路和測(cè)量波形,顯示了測(cè)試系統(tǒng)在輸入功率為 2kW 時(shí)評(píng)估熱性能的運(yùn)行狀態(tài)。運(yùn)行條件為 PFC 控制器 = ICE2PCS05G、輸入功率 PIN = 2kW、交流輸入電壓 VIN = 220V/60Hz、直流母線電壓 VDC = 400V、逆變器開(kāi)關(guān)頻率 = 5kHz、PFC 開(kāi)關(guān)頻率 = 20kHz、RL 負(fù)載(R = 13.75Ω、L = 2.96mH、功率因數(shù) = 0.99)、MI = 0.69、柵極電阻 Rg = 5.1Ω、環(huán)境溫度 Ta = 25°C。被測(cè)設(shè)備為 IFCM15S60GD。輸入功率因數(shù)約為 0.995,THD 約為 9.78%。  過(guò)溫保護(hù)電路

  圖9:過(guò)溫保護(hù)電路  VFO 電壓與溫度

  圖 10:VFO 電壓與溫度
  新型IPM的測(cè)試電路及波形,測(cè)試電路  圖 11a:新型 IPM 的測(cè)試電路和波形,測(cè)試電路

  新型IPM的測(cè)試電路及波形

  圖11b:新型IPM的測(cè)試電路和波形,波形  PFC IGBT位置的外殼溫度最高點(diǎn)約為67.5°C,高于逆變器部分的外殼溫度。IFCM15S60GD足以應(yīng)對(duì)2kW以上的功率。

  新型IPM(IFCM15S60GD)的溫度測(cè)量點(diǎn)和測(cè)試結(jié)果,溫度測(cè)量點(diǎn)
  圖 12a:新型 IPM(IFCM15S60GD)的溫度測(cè)量點(diǎn)和測(cè)試結(jié)果,溫度測(cè)量點(diǎn)  新型IPM(IFCM15S60GD)的溫度測(cè)量點(diǎn)及測(cè)試結(jié)果、溫度圖

  圖12b:新型IPM(IFCM15S60GD)的溫度測(cè)量點(diǎn)和測(cè)試結(jié)果,溫度圖
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