45 W 單輸出側(cè)穩(wěn)壓反激轉(zhuǎn)換器
出處:維庫電子市場網(wǎng) 發(fā)布于:2023-08-16 15:21:34 | 293 次閱讀
該設(shè)計最重要的方面是演示如何使用 LinkSwitch-HP 器件實現(xiàn)次級側(cè)光耦合器反饋。
典型的 LinkSwitch-HP 設(shè)計采用初級側(cè)調(diào)節(jié),但添加光耦合器反饋使該器件能夠滿足具有嚴格瞬態(tài)響應(0 至 100%)和空載輸入功率(<100 mW)要求的應用。
圖 1 已安裝的電路板,頂視圖
圖 2 已安裝的電路板,底視圖
圖3 示意圖輸入整流和濾波
保險絲 F1 為電路提供過流保護,并在發(fā)生故障時將其與交流電源隔離。二極管橋 BR1 對交流輸入進行整流。電容器C6與電感器L1和L2一起構(gòu)成EMI濾波器,用于衰減共模和差模傳導噪聲。
電阻器 R11、R12 和 R13 用于在線路電壓從電路中移除后對 EMI 濾波電容器進行放電。NTC 熱敏電阻 RT1 限制首次施加線電壓時電源的浪涌電流。
金屬氧化物壓敏電阻 (MOV) RV1 通過有效鉗位電源的輸入電壓,在線路浪涌事件期間保護電路。
LinkSwitch-HP 主要
圖中的原理圖描繪了使用 LNK6777E 實現(xiàn)的基于 LinkSwitch-HP 的 19 V、45 W 反激式轉(zhuǎn)換器。LNK6777E 器件 (U1) 將振蕩器、誤差放大器和多模式控制電路、啟動和保護電路以及高壓功率 MOSFET 全部集成在一個單片 IC 中。
電源變壓器的一側(cè)連接到高壓總線,另一側(cè)連接到U1的漏極(D)引腳。在開關(guān)周期開始時,控制器打開功率 MOSFET,初級繞組中的電流逐漸增加,初級繞組將能量存儲在變壓器的磁芯中。當該電流達到由內(nèi)部誤差放大器的輸出(補償(CP)引腳電壓)設(shè)置的限制閾值時,控制器關(guān)閉功率 MOSFET。由于變壓器繞組的定相和輸出二極管的方向,存儲的能量隨后在次級繞組上感應出電壓,該電壓使輸出二極管正向偏置,并且存儲的能量被傳遞到輸出電容器。
連接到旁路 (BP) 引腳的電容器 C7 (470 nF) 將過壓保護 (OVP) 和過溫保護 (OTP) 設(shè)置為閉鎖和失去調(diào)節(jié)保護,以便在給定的關(guān)閉周期 (典型值 1500 毫秒)。
初級 RCD 鉗位
二極管 D1、C3、R1、R2、R3 和 R5 形成 RCD 緩沖器,用于限制 LinkSwitch-HP 上的電壓應力。因此,峰值漏極電壓通常限制在 265 VAC 時低于 640 V,為 725 V 漏極電壓額定值 (BVDSS) 提供了很大的余量。
輸出整流
19V 輸出的輸出整流由二極管 D4 提供,濾波由電容器 C15、C18 提供。由 R19、R20 和 C12 形成的緩沖器提供高頻濾波以改善 EMI。
外部電流限制設(shè)置
最大逐周期電流限制由連接到 PROGRAM (PD) 引腳的電阻器 R4 設(shè)置。設(shè)計中的 23.2 kΩ 電阻器將最大電流限制設(shè)置為 LNK6777E 默認電流限制的 60%。
反饋和補償網(wǎng)絡
此設(shè)計使用次級側(cè)調(diào)節(jié)而不是初級側(cè)調(diào)節(jié)來實現(xiàn)低空載功耗 (<100 mW) 和瞬態(tài)響應要求 (±5%)。
基本方法是使用光耦合器直接驅(qū)動 LinkSwitch-HP IC 的 CP 引腳。CP電壓可以被認為是內(nèi)部誤差電壓,因此改變誤差電壓會直接改變器件處理的功率(初級電流和開關(guān)頻率)。
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