該電路類似于我們?cè)谥暗慕坛讨锌吹降墓舶l(fā)射極電路。這次的不同之處在于，要將晶體管用作開(kāi)關(guān)，晶體管需要完全“關(guān)閉”（截止）或完全“打開(kāi)”（飽和）。

    理想的晶體管開(kāi)關(guān)在“完全關(guān)閉”時(shí)在集電極和發(fā)射極之間具有無(wú)限的電路電阻，導(dǎo)致流過(guò)它的電流為零，在“完全開(kāi)啟”時(shí)集電極和發(fā)射極之間的電阻為零，從而產(chǎn)生最大電流。
    實(shí)際上，當(dāng)晶體管“關(guān)斷”時(shí)，會(huì)有小漏電流流過(guò)晶體管，而當(dāng)完全“開(kāi)”時(shí)，器件具有低電阻值，導(dǎo)致其兩端產(chǎn)生小飽和電壓 (V CE  ) 。盡管晶體管不是完美的開(kāi)關(guān)，但在截止區(qū)域和飽和區(qū)域，晶體管消耗的功率都處于最小值。
    為了使基極電流流動(dòng)，必須將基極輸入端子的電壓提高到硅器件所需的 0.7 伏以上，從而使基極輸入端子比發(fā)射極更正。通過(guò)改變?cè)摶鶚O-發(fā)射極電壓V BE，基極電流也被改變，并且這反過(guò)來(lái)控制流過(guò)晶體管的集電極電流量，如前面所討論的。
    當(dāng)最大集電極電流流動(dòng)時(shí)，晶體管被稱為飽和?；鶚O電阻的值決定了將晶體管完全“導(dǎo)通”所需的輸入電壓和相應(yīng)的基極電流。