對于小功率電源(50W以內(nèi))MOS管的驅(qū)動電路設(shè)計(jì)相對簡單，只需要一個(gè)驅(qū)動電阻Rg即可對MOS管進(jìn)行驅(qū)動。此時(shí)的驅(qū)動開通電阻和關(guān)斷電阻阻值一致。

    若對中小型功率電源(50W到500W)且有一定的效率設(shè)計(jì)要求則需要開通電阻Rg(on)和關(guān)斷電阻Rg(off)分開一般采用以下兩種方式設(shè)計(jì)。

    這一種設(shè)計(jì)方式Rg(on)=Rg1+Rg2，Rg(off)=Rg1。
    這種設(shè)計(jì)方式將Rg(on)和Rg(off)分開便于調(diào)整。
    對于中等功率的電源(300W到1500K)對于MOS管的驅(qū)動設(shè)計(jì)不僅需要開通電阻和關(guān)斷電阻分開，還需要對驅(qū)動米勒平臺進(jìn)行處理。一般簡單的處理方式會在MOS管的GS之間增加一組RC電路，通過調(diào)整RC參數(shù)來調(diào)整MOS管米勒平臺內(nèi)振蕩的問題。設(shè)計(jì)方式如下。

    參數(shù)設(shè)計(jì)需根據(jù)設(shè)計(jì)電路和MOS管的選型終調(diào)試決定。
    對于中等偏上功率乃至大功率的電源(1200W到5KW甚至到10KW)對MOS管的驅(qū)動設(shè)計(jì)就顯得尤為重要了。此時(shí)的驅(qū)動設(shè)計(jì)跟很多方面都有相當(dāng)大的關(guān)系，包括MOS管的選型，不同廠商的寄生參數(shù)差異，功率走線的設(shè)計(jì)，驅(qū)動器的選型與設(shè)計(jì)，驅(qū)動回路的設(shè)計(jì)等等。一般在MOS管驅(qū)動設(shè)計(jì)上有以下幾種設(shè)計(jì)思路。其主要目的在于在MOS管的GS之間抑制振蕩和減小回路。設(shè)計(jì)方式如下。
    利用三極管在驅(qū)動關(guān)斷時(shí)直接將G級拉到S級。
    減小了驅(qū)動關(guān)斷回路，增強(qiáng)了驅(qū)動抗干擾能力。
    利用NMOS在驅(qū)動關(guān)斷時(shí)直接將G級拉到S級。
    減小了驅(qū)動關(guān)斷回路，增強(qiáng)了驅(qū)動抗干擾能力。
    利用三極管在驅(qū)動關(guān)斷時(shí)直接將G級拉到S級。
    減小了驅(qū)動關(guān)斷回路，增強(qiáng)了驅(qū)動抗干擾能力。
    同時(shí)在GS電阻上串聯(lián)二極管，進(jìn)一步增強(qiáng)了驅(qū)動線路的抗干擾能力。
    在驅(qū)動器的設(shè)計(jì)上也是一樣，必須減小甚至避免功率回路干擾，另外則是在驅(qū)動器驅(qū)動信號的輸入源頭進(jìn)行信號的處理避免干擾信號耦合到真實(shí)信號中。具體設(shè)計(jì)方式如下。
    采用圖騰柱的方式作為驅(qū)動器，此方式成本低適合中小功率和對成本要求較苛刻的產(chǎn)品。
    采用驅(qū)動IC作為驅(qū)動器來驅(qū)動MOS或者驅(qū)動變壓器，此方式適合功率較大且驅(qū)動線路較長的設(shè)計(jì)。信號的輸入端增加下拉電阻和RC濾波，對驅(qū)動IC輸入信號進(jìn)一步處理保證信號干凈和增強(qiáng)抗干擾能力。
    總結(jié)：在電源的調(diào)試過程中驅(qū)動信號的調(diào)試顯得尤為重要，這不僅對電源的可靠性，電源的效率，電源的設(shè)計(jì)溫升和EMC特性都顯的尤為重要。因此設(shè)計(jì)驅(qū)動回路便成了設(shè)計(jì)電源的一項(xiàng)重要指標(biāo)。驅(qū)動參數(shù)的合理性直接影響電源的各方面性能。