信息存儲器模塊的電路圖
出處：維庫電子市場網 發(fā)布于：2014-03-07 09:35:56 | 3855 次閱讀
由于ARM的讀寫速度很快，防止ARM訪問片外存儲單元出現“瓶頸”現象，應選用快速存儲器芯片，不需要ARM插入等待狀態(tài)，只要將存儲器芯片的地址線、數據線與MC9328MX1的數據線、地址線相連，再輔以必要的控制信號和譯碼電路，就可以使ARM全速運行。在系統(tǒng)中，我們選用4片CY7C1049B-15 SRAM（512K X 8bits）用作信息存儲器，再附加上掉電保護電路，將其構成1M字存儲單元。它在系統(tǒng)中分配的存儲地址為8000H-FFFFH單元（注：0000H-7FFFH為其它存儲用），故1M字存儲單元共可分成1M/32K=32個頁面。其中頁面寄存器利用可編程器件FPGA設計實現。信息存儲器模塊的電路圖如下圖所示。
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