TPS61040/41內(nèi)部MOSFET開關(guān)Q1導(dǎo)通，并逐步增加了從VIN通過L1、Q1和內(nèi)部電流檢測電阻RSENSE的電流量。TPS61040/41的FB（反饋）腳檢測輸出電壓，只要反饋電壓低于參考電壓（典型值1.233V），則內(nèi)部Q1導(dǎo)通，電流增大；當(dāng)電感L1電流達(dá)到內(nèi)部設(shè)置峰值電流ILM（TPS61040為400mA或TPS61041為250mA）時(shí)Q1截止，另外為應(yīng)付極端條件以限制導(dǎo)通時(shí)間，在導(dǎo)通時(shí)間超過6μs（典型值）時(shí)Q1也會(huì)截止。TPS61040/41外接元件決定了Q1的關(guān)斷時(shí)間。

　　為了維持運(yùn)行以及設(shè)定Q1的關(guān)斷時(shí)間，TPS61040/41內(nèi)部控制器必須用Q1和RSENSE監(jiān)測通過L1的電流。當(dāng)關(guān)斷Q1時(shí)，流過L1的電流中斷會(huì)升高電感上的電壓，使外部的肖特基二極管D1正偏并導(dǎo)通，D1作續(xù)流二極管保證電流輸出，為輸出電容器C1充電至一個(gè)較高電壓，這個(gè)電壓高于單獨(dú)的輸入電壓VIN.開關(guān)管關(guān)斷至少要保持400ns（典型值），或者反饋電壓又低于參考電壓時(shí)才導(dǎo)通。輸入電壓、L1以及通過RSENSE的預(yù)設(shè)峰值電流都會(huì)影響Q1的導(dǎo)通時(shí)間。如下圖所示。